☘️ Article

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• nand 廠家資本支出相對保守，聚焦製程升級，是否因為之前被嚇怕了

✍️ Abstract

• 數據顯示記憶體兩大領域自 2024 年起將出現顯著分歧。
• DRAM 產業預計將迎來資本支出的爆發性成長 (主要由 AI、HBM 需求驅動，而 NAND 產業則預計維持相對平淡的態勢，雖從 2023 年的低點緩慢回升，但難以突破過往高峰。

DRAM 產業資本支出預估 (單位：十億美元)

• 整體趨勢：
  • 經歷 2023 年的低點 (約 250 億美元) 後，產業預測將大幅成長。
  • 至 2026E 與 2027E，產業總資本支出預計將超過 600 億美元，約為 2023 年數據的兩倍。
• 關鍵驅動因素：自 2023 年以來，除 HBM 以外的整體 DRAM 資本支出一直表現平淡，圖表中顯著的增長 (藍色、橘色長條的擴張) 幾乎完全是由 AI 硬體所需的 高頻寬記憶體 (HBM) 投資所驅動。
• 主要參與者：
  • Samsung (深藍色)、SK Hynix (淺藍色) 維持最大的資本支出佔比。
  • MU (Micron, 橘色) 在 2025~2027 年間顯示出極為激進的支出增長預測。
• 美光 (Micron) DRAM 特定數據：美光每年的資本支出 (十億美元)：

NAND 產業資本支出預估 (單位：十億美元)

• 整體趨勢：
  • NAND 市場波動較大，於 2018、2022 年達到高峰 (接近 300 億美元)。
  • 2023 年出現急遽下滑 (降至約 200 億美元)。
  • 至 2027E 的復甦過程平穩但緩慢，預計達到約 270 億美元，仍低於 2022 年的高峰。
• 自 2023 年以來，整體 NAND 資本支出表現平淡，缺乏如同 DRAM 領域中 AI 熱潮般的技術驅動力。
• 市場佔有率：Samsung 仍是主要支出者。
  • 值得注意的是，長江存儲 (YMTC, 淺紫色) 在 2021 至 2022 年間曾是重要支出者，但在未來的預估中佔比縮小，可能源於地緣政治限制或市場轉變。
• 美光 (Micron) NAND 特定數據：

比較與結論

• DRAM 與 NAND 的脫鉤：
  • 最顯著的洞察是這兩個市場的走勢分歧。歷史上它們通常同步變動 (例如 2019 年同時下滑)。
  • 然而從 2024 年起，DRAM 進入由 AI 驅動的 超級週期，而 NAND 則處於保守的復甦階段。
• 美光 (Micron) 的策略：美光的策略明顯重押 DRAM。
  • 2023 年：DRAM 支出 (39 億美元) 、NAND 支出 (27 億美元) 相去不遠。
  • 2026E 預估：DRAM 支出將飆升至 181 億美元，而 NAND 支出則持平於 47 億美元。

DRAM、NAND 產業資本支出預估分析

• DRAM 產業資本支出預計將從 2024 年開始呈現爆發式增長，總額由 2023 年的 240 億美元，預估於 2027 年超過 600 億美元。
• 三星 (Samsung)、SK 海力士 (SK Hynix)、美光 (Micron) 為 DRAM 投資的三大巨頭，預計到 2027 年，美光的年度支出將分別達到 175 億美元。
• 報告指出，自 2023 年以來，除了高頻寬記憶體 (HBM) 之外的傳統 DRAM 資本支出實際上保持平穩，顯示 AI 需求是推動投資增長的主因。
• NAND 產業的投資態度顯著較為審慎，2023 年資本支出大幅縮減至 157 億美元，預計至 2027 年僅緩慢回升至 266 億美元，尚未回到 2018 年的高點。
• NAND 廠商目前的策略聚焦於製程技術升級，而非盲目擴張產能，這可能與過去市場供過於求導致的價格崩跌有關。
• 中國廠商：長鑫存儲 (CXMT) 、長江存儲 (YMTC) 在各自領域的資本支出預計將穩步增長，反映出中國半導體自主化的持續推進。

專有名詞

• DRAM：動態隨機存取記憶體，一種揮發性記憶體，數據在斷電後會消失，主要用於電腦、伺服器的運算暫存空間。
• NAND Flash：快閃記憶體，一種非揮發性存儲媒介，數據在斷電後仍可保存，廣泛應用於固態硬碟 (SSD)、手機儲存等。
• CapEx：資本支出，指企業用於購買、升級或維護固定資產 (如廠房、機器設備) 的資金投入。
• HBM：高頻寬記憶體，一種將多個 DRAM 晶片垂直堆疊的高階記憶體技術，具有高頻寬與低功耗特性，是目前 AI 伺服器的核心組件。
• Samsung：三星電子，總部位於韓國，為全球市佔率第一的記憶體晶片製造商。
• SK Hynix：SK 海力士，韓國半導體巨頭，在全球 DRAM 與 HBM 市場佔有領先地位。
• Micron：美光科技，總部位於美國的記憶體大廠，與三星、SK 海力士並稱為全球三大 DRAM 供應商。
• CXMT：長鑫存儲，中國主要的 DRAM 生產商，專注於動態隨機存取記憶體的研發與製造。
• YMTC：長江存儲，中國領先的 NAND 快閃記憶體製造商，致力於 3D NAND 技術開發。
• Kioxia：鎧俠，原名東芝記憶體，是日本主要的 NAND 快閃記憶體生產商。
• BofA Global Research：美國銀行全球研究部，為全球領先的金融研究機構，提供市場趨勢分析與預測。